STD6NM60N Обзор

Когда напряжение превышает напряжение пробоя MOSFET, происходит явление пробоя и течет ток. Это называется ?Лавинный пробой?, и энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 65 мДж. Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными выводами операционного усилителя с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 420 пФ @ 50 В. Ток стока — это максимальный непрерывный ток, который может проводить устройство, и непрерывный ток стока (ID) этого устройства составляет 4,6 А. Напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID, с VGS=600 В. И это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 600 В. Время выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и его время выключения составляет 40 нс. Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET — это напряжение, которое падает на выводах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 25 В. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.

STD6NM60N Характеристики

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 65 мДж
непрерывный ток стока (ID) 4,6 А
напряжение пробоя сток-исток 600 В
время выключения 40 нс

STD6NM60N Применения

Есть много STMicroelectronics
STD6NM60N применений одиночных транзисторов MOSFET.

• LCD/LED TV
• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• AC-DC источник питания
• Синхронный выпрямитель для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Двигательные приводы и источники бесперебойного питания
• Микро солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты