Logo
Контакты
Политика использования файлов cookie
Условия использования
Политика конфиденциальности
phone
Vivi (Продажи)
phone
Lucy (Продажи)
phone
Ban (Продажи)
phone
+86 755-2845-3125
Список RFQ
  • open navigation menu
    • Logo
    • Список RFQ
      • Производители
      • Популярные товары
      • RFQ
      • Блог
      • Инструменты
      • Решения для закупок
      • PCB/SMT
      • О нас
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
    +86 755-2845-3125
    [email protected][email protected][email protected]
    Комната 2709B, Офисное здание 5A, Longguang Jiuzuan, Hongshan, район Longhua, Шэньчжэнь, Китай
    Компания
    • Блог
    • О нас
    • Контакты
    Ресурсы
    • Категории
    • Производители
    • Инструменты
    • RFQ
    Быстрые ссылки
    • Политика конфиденциальности
    • Условия использования
    • Политика использования файлов cookie
    • Политика возврата и возмещения
    • Политика доставки
    Оплата
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    Логистика
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр

    © 2026 Авторское право. Все права защищены. Сделано ICAllIn

    Номер детали
    Номер детали
    1. Главная/
    2. Все категории/
    3. Дискретные полупроводники/
    4. Транзисторы/
    5. STD7N52DK3 STMicroelectronics

    STD7N52DK3 [STMicroelectronics]

    STD7N52DK3
    STD7N52DK3

    Номер детали:

    STD7N52DK3

    Категория:

    Транзисторы

    Производитель:

    STMicroelectronics

    Описание:

    MOSFET (металл-оксидный) N-канальный лента и катушка (TR) 1.15 ? @ 3A, 10V ±30V 870pF @ 50V 33nC @ 10V 525V TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Статус RoHS:

    FAQ по продукту

    1. Доступен ли STD7N52DK3 для RFQ?

    Да. STD7N52DK3 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

    2. Почему для STD7N52DK3 нет фиксированной цены?

    Цена на STD7N52DK3 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

    3. Какие ключевые характеристики у STD7N52DK3?

    STD7N52DK3 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tape & Reel (TR) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

    4. Как быстро я получу предложение по STD7N52DK3?

    Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

    5. Как скоро можно отправить STD7N52DK3?

    Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

    6. Можете ли вы предложить альтернативы для STD7N52DK3?

    Да. Если STD7N52DK3 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

    Запрос

    Номер детали:

    STD7N52DK3

    Производитель:

    STMicroelectronics

    Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

    ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

    Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

    Рекомендуемый товар

    Даташит:

    Статус наличия:

    Доступно для RFQ

    Цена:

    Запросить оптовую цену

    Ответ на запрос:

    В течение 24 часов

    Доставка:

    Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

    Спецификация

    Тип
    Параметр
    Lifecycle Status
    NRND (Last Updated: 7 months ago)
    Factory Lead Time
    12 Weeks
    Mount
    Surface Mount
    Mounting Type
    Surface Mount
    Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Number of Pins
    3
    Transistor Element Material
    SILICON
    Operating Temperature
    150°C TJ
    Packaging
    Tape & Reel (TR)
    JESD-609 Code
    e3
    Part Status
    Active
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
    Number of Terminations
    2
    ECCN Code
    EAR99
    Resistance
    1.15Ohm
    Terminal Finish
    Matte Tin (Sn) - annealed
    Additional Feature
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    Technology
    MOSFET (Metal Oxide)
    Terminal Form
    GULL WING
    Peak Reflow Temperature (Cel)
    260
    Base Part Number
    STD7
    Pin Count
    3
    JESD-30 Code
    R-PSSO-G2
    Number of Elements
    1
    Power Dissipation-Max
    90W Tc
    Element Configuration
    Single
    Operating Mode
    ENHANCEMENT MODE
    Power Dissipation
    90W
    Turn On Delay Time
    12 ns
    FET Type
    N-Channel
    Transistor Application
    SWITCHING
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    870pF @ 50V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A Tc
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
    Rise Time
    22ns
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    525V
    Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
    10V
    Vgs (Max)
    ±30V
    Fall Time (Typ)
    22 ns
    Turn-Off Delay Time
    37 ns
    Continuous Drain Current (ID)
    6A
    Threshold Voltage
    3.75V
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    30V
    Drain Current-Max (Abs) (ID)
    6A
    Drain to Source Breakdown Voltage
    620V
    Pulsed Drain Current-Max (IDM)
    24A
    Avalanche Energy Rating (Eas)
    100 mJ
    Height
    2.4mm
    Length
    6.6mm
    Width
    6.2mm
    REACH SVHC
    No SVHC
    Radiation Hardening
    No
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    Lead Free
    Lead Free

    Детали продукта

    Обзор STD7N52DK3


    Когда напряжение превышает напряжение пробоя МОСФЕТа, происходит явление пробоя и течет ток. Это называется ?лавинный пробой?, и энергия, приложенная к МОСФЕТу, называется лавинной энергией, а рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 100 мДж.Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 870 пФ при 50 В.Стоковый ток — это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, и непрерывный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 6 А.Напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID, при VGS=620 В. И это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 620 В.Стоковый ток — это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, и стоковый ток этого устройства составляет 6 А.Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства до начала проводимости стокового тока, и его время задержки выключения составляет 37 нс.IDM — это максимальный номинальный пиковый стоковый ток для силового МОСФЕТа, и его максимальный импульсный стоковый ток составляет 24 А.Время задержки включения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства до начала проводимости стокового тока, и его время задержки составляет 12 нс.Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET — это напряжение, падающее на клеммах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 30 В.Пороговое напряжение — это точка, в которой электрическое устройство настроено на активацию любой из своих операций, и этот транзистор имеет пороговое напряжение 3,75 В.Для работы этого транзистора требуется напряние сток-исток 525 В (Vdss).Используя напряжение управления (10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.

    Характеристики STD7N52DK3


    рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 100 мДж
    непрерывный стоковый ток (ID) 6 А
    напряжение пробоя сток-исток 620 В
    время задержки выключения 37 нс
    на основе его номинального пикового стокового тока 24 А.
    пороговое напряжение 3,75 В
    напряжение сток-исток 525 В (Vdss)


    Применение STD7N52DK3


    Существует множество применений одиночных транзисторов МОСФЕТ STD7N52DK3 от STMicroelectronics.


    • LCD/LED телевизоры
    • Бытовая техника
    • Освещение
    • Источник бесперебойного питания
    • Источник питания AC-DC
    • Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер И Телеком ИБП
    • Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
    • Микро-солнечный инвертор
    • Преобразователи DC/DC
    • Электроинструмент

    Документы

    Datasheets:

    STx7N52DK3STD7N52DK3-STMicroelectronics-datasheet-10837504.pdfSTD7N52DK3-STMicroelectronics-datasheet-21217307.pdf
    Доставка и гарантия

    Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

    Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

    Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

    Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

    Особенности

    • 30-дневная гарантия
      30-дневная гарантия
    • Быстрая доставка
      Быстрая доставка
    • Беспроблемный возврат
      Беспроблемный возврат
    • Безопасный способ оплаты
      Безопасный способ оплаты

    BEST SELL
    MT60B2G8HB-48B:A

    MT60B2G8HB-48B:A

    Micron

    BEST SELL
    BAV99-7-F-CN

    BAV99-7-F-CN

    Unknown

    BEST SELL
    H5AN4G6NBJR-UHI

    H5AN4G6NBJR-UHI

    SK HYNIX

    BEST SELL
    K4AAG085WA-BIWE

    K4AAG085WA-BIWE

    SAMSUNG

    BEST SELL
    KHBBC4B03C-MC1K

    KHBBC4B03C-MC1K

    SAMSUNG

    BEST SELL
    ISL8225MIRZ

    ISL8225MIRZ

    RENESAS

    BEST SELL
    K4FBE3D4HM-THCL

    K4FBE3D4HM-THCL

    SAMSUNG

    BEST SELL
    ISO7721DR

    ISO7721DR

    Texas Instruments

    BEST SELL
    MT47H128M16RT-25E IT:C

    MT47H128M16RT-25E IT:C

    Micron

    BEST SELL
    MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

    MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

    Micron

    Связанная информация
    • Номер детали
      Производитель
      Статус наличия
      Цена
      RoHS/даташит
    • STP13N95K3
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STL16N1VH5
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STI6N80K5
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STP140N4F6
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STL65DN3LLH5
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STGWT30V60F
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STF19NM65N
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STD25NF20
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STB43N60DM2
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STU95N3LLH6
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену

    STB16NF25

    STB16NF25

    STMicroelectronics

    SD2932

    SD2932

    STMicroelectronics

    BUL128FP

    BUL128FP

    STMicroelectronics

    LET9045F

    LET9045F

    STMicroelectronics

    STD155N3LH6

    STD155N3LH6

    STMicroelectronics

    PD54003

    PD54003

    STMicroelectronics

    STD110N8F6

    STD110N8F6

    STMicroelectronics

    PD55035S-E

    PD55035S-E

    STMicroelectronics

    PD57070-E

    PD57070-E

    STMicroelectronics

    2STN2360

    2STN2360

    STMicroelectronics

    Diodes & Rectifiers(136426)Thyristors(12548)Discrete & Power Modules(14567)

    Нет недавно просмотренных товаров