STD90N03L [STMicroelectronics]

STD90N03L Обзор

В результате лавинного пробоя энергия, прикладываемая к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии составляет 350 мДж.CI относится к емкости между двумя входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 2805 пФ @ 25 В.В этом устройстве стоковый ток (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор.Это устройство имеет пробойное напряжение сток-исток 30 В, где VDS соответствует ID, при котором течет заданное значение ID, и VGS равно 30 В.В результате времени задержки выключения, которое составляет 24 нс, устройству требуется время для зарядки своей входной емкости перед началом проводимости стокового тока.Существует пиковый стоковый ток 320 А, его максимальный импульсный стоковый ток.Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, которые падают на клемме затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда составляет 20VV.Кроме снижения потребления мощности, это устройство использует напряжение привода (5В 10В).

STD90N03L Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 350 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 80 А
пробойное напряжение сток-исток 30 В
время задержки выключения 24 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 320 А.

STD90N03L Применения

Существует множество STMicroelectronics
STD90N03L применений одиночных транзисторов MOSFET.

• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные серверные блоки питания
• Промышленные блоки питания
• Ступени PFC, ступени PWM с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени PWM, например, для PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.