STE110NS20FD Описание

STMicroelectronics разработала передовую серию мощных МОП-транзисторов с исключительными характеристиками, используя новейшую технологию MESH OVERLAYTM высокого напряжения. Благодаря эксклюзивной структуре граничной терминации компании и новой запатентованной компоновке STrip, можно достичь наименьшего RDS(ON) на единицу площади, впечатляющих характеристик по лавинному пробою и dv/dt, а также несравненных заряда затвора и переключающих характеристик.

STE110NS20FD Особенности

• 100% протестировано на лавинный пробой

• Минимизированный заряд затвора

• Низкая собственная ёмкость

• Чрезвычайно высокая способность dv/dt

• Быстрый диод сток-исток: низкий trr, Qrr

• ± 20V номинальное напряжение затвор-исток

STE110NS20FD Применения

• Промышленность

• Автомобилестроение

• Персональная электроника

• Применения в переключениях