Name: STF7N52DK3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STF7N52DK3

STF7N52DK3 Обзор

Происходит лавинный пробой, при котором энергия прикладывается к MOSFET, чтобы вызвать его пробой, и эта энергия называется лавинной энергией, а рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 100 мДж. Операционные усилители с заземленным входом имеют фиксированный параметр входной емкости CI, и у этого устройства максимальная входная емкость составляет 870 пФ @ 50 В. Устройства могут проводить максимальный непрерывный ток 3 ампера в стоковой области, поэтому непрерывный стоковый ток (ID) для этого устройства составляет 6A ампер. В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 525 В и VGS=525 В, поэтому напряжение пробоя сток-исток в этом случае 525 В. Устройство может проводить максимальный непрерывный ток [6A] в соответствии с его стоковым током. Это [37 нс], потому что требуется время для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости стокового тока. Что касается пикового стокового тока, его максимальный импульсный ток составляет 24A. Время включения 12 нс указывает время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости стокового тока. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET - это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 30 В. Обычно электрические устройства настроены на активацию всех своих операций при пороговых напряжениях, и пороговое напряжение этого транзистора составляет 3,75 В. Такое устройство снижает общее потребление мощности, когда оно использует напряжение привода (10 В).

STF7N52DK3 Характеристики

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 100 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 6A
напряжение пробоя сток-исток 525 В
время выключения 37 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 24A.
пороговое напряжение 3,75 В