
H5AN4G6NBJR-UHI
SK HYNIX

Да. STFV4N150 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.
Цена на STFV4N150 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.
STFV4N150 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tube и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.
Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.
Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.
Да. Если STFV4N150 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.
Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.
ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ
Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.
STFV4N150 является 1500-вольтовым N-канальным очень высоковольтным MOSFET PowerMESH?. Используя хорошо зарекомендовавший себя высоковольтный процесс MESH OVERLAY?, STMicroelectronics разработала передовую семейство Power MOSFETs с выдающимися характеристиками. Усиленная компоновка в сочетании с эксклюзивной структурой граничного завершения Компании обеспечивает наименьшее RDS(on) на единицу площади, непревзойденный заряд затвора и переключательные характеристики. Путь утечки делает этот корпус уникальным по сравнению с TO-220FP.
Длина пути утечки между каждым выводом и между выводами и радиатором увеличена до >4.0 мм, что позволяет этому корпусу соответствовать всем строгим нормам безопасности в высоковольтных приложениях.
Typical RDS(on)=5|?
Устойчивость к лавинному пробою
Минимизированный заряд затвора
Очень низкие собственные емкости
Высокоскоростное переключение
Полностью пластиковый корпус TO-220
Длина пути утечки >4 мм
Компьютеры
Электромобили
Сварка
Самолеты
Автоматизация
Медицина
Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)
Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00
Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней
Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

H5AN4G6NBJR-UHI
SK HYNIX
CYBT-343026-EVAL
Infineon

BQ27441DRZR-G1A
Texas Instruments

VN7050AJTR
STMicroelectronics

K4B4G1646E-BYK0
SAMSUNG

MT48H32M16LFB4-6 IT:C
Micron

MIMX8MQ6DVAJZAB
NXP

MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron

MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Micron

K4AAG085WA-BIWE
SAMSUNG
Нет недавно просмотренных товаров