STI14NM50N [STMicroelectronics]

Обзор STI14NM50N

Максимальная входная ёмкость устройства составляет 816 пФ при 50 В, но параметр входной ёмкости CI измеряется как ёмкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом.Его непрерывный стоковый ток для этого устройства составляет 12 А. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток.Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение, при котором VDS протекает при заданном значении ID, wSingle MOSFETs transistorh VGS=500 В, и это устройство имеет пробивное напряжение сток-исток 500 В.Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной ёмкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 42 нс.Перед началом проводимости стокового тока входная ёмкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 10,2 нс.В целом, напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 25 В.Это устройство не использует напряжение привода (10 В) для снижения общего энергопотребления.

Особенности STI14NM50N

непрерывный стоковый ток (ID) 12 А
пробивное напряжение сток-исток 500 В
время задержки выключения 42 нс

Применения STI14NM50N

Существует множество STMicroelectronics
применений транзисторов MOSFET STI14NM50N.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямка
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные источники питания серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ для например, Silverbox ПК, адаптеры, ЖК и плазменные телевизоры,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
• DC-DC преобразователи