STP5N95K5 Обзор

Одиночный транзистор MOSFET называется "лавинным пробоем", и лавинная энергия прикладывается к MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет рейтинг 70 мДж. При заземлении любого входа параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными выводами операционного усилителя. Это устройство имеет максимальную входную емкость 220 пФ @ 100 В. Ток стока устройства — это его максимальный непрерывный ток, и это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) 3,5 А. Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и оно составляет 32 нс. Зарядка входной емкости занимает время перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки включения составляет 12 нс. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение, которое падает на выводах затвор-исток транзистора FET, называемое напряжением затвор-исток, VGS. Для поддержания нормальной работы напряжение пробоя DS должно быть выше 950 В. Для одиночного транзистора MOSFET необходимо иметь напряжение сток-исток (Vdss) 950 В. Использование напряжения управления (10 В) снижает общее энергопотребление этого устройства.

STP5N95K5 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 70 мДж
непрерывный ток стока (ID) 3,5 А
время задержки выключения составляет 32 нс
напряжение сток-исток 950 В (Vdss)

STP5N95K5 Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STP5N95K5 от STMicroelectronics.

• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер I Телеком БП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление