Номер детали:
STT818B
Категория:
Транзисторы
Описание:
PNP 150°C TJ 100nA ICBO 1 элемент 6 выводов SILICON PNP SOT-23-6 лента и кассета (TR) поверхностный монтаж
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Peak Reflow Temperature (Cel)
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
Collector Emitter Voltage (VCEO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Current - Collector Cutoff (Max)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
Collector Emitter Breakdown Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Base Voltage (VCBO)
Emitter Base Voltage (VEBO)
Детали продукта
STT818B Обзор
Поскольку dc = Ic/Ib, коэффициент постоянного тока является отношением базового тока к коллекторному току, и коэффициент постоянного тока для этого устройства составляет 100 @ 500mA 1V. Напряжение насыщения коллектор-эмиттера составляет -210 мВ, что обеспечивает максимальную гибкость проектирования. Когда насыщение VCE составляет 500 мВ @ 20 мА, 2 А, это означает, что Ic достиг максимального значения транзистора (насыщение). Напряжения эмиттер-база 5 В могут достигать высоких уровней эффективности. Номинальные токи предохранителя относятся к тому, сколько ток предохранитель может пропускать в течение неопределенного периода без чрезмерного ухудшения, и это устройство имеет номинальный ток -3 А. Это устройство может выдерживать входное напряжение 30 В, прежде чем оно выйдет из строя. Может быть достигнут максимальный коллекторный ток 3 А.
STT818B Характеристики
коэффициент постоянного тока для этого устройства составляет 100 @ 500mA 1V
напряжение насыщения коллектор-эмиттера -210 мВ
насыщение vce (Макс) составляет 500 мВ @ 20 мА, 2 А
напряжение эмиттер-база поддерживается на уровне 5 В
номинальный ток этого устройства составляет -3 А
STT818B Применения
Существует множество STMicroelectronics
STT818B применений в одиночных транзисторах BJT.
- Инвертор
- Интерфейс
- Драйвер
- Заглушение
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы