Name: STW40N20
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW40N20

Обзор STW40N20

Когда напряжение превышает напряжение пробоя MOSFET, происходит явление пробоя и ток течет. Это называется лавинным пробоем, и энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 230 мДж. Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 2500 пФ при 25 В. Ток стока — это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, и непрерывный ток стока (ID) этого устройства составляет 40 А. Напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором протекает заданное значение ID, при VGS=200 В. И это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 200 В. Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и его время задержки выключения составляет 74 нс. IDM — это максимальный номинальный пиковый ток стока для силового MOSFET, и его максимальный импульсный ток стока составляет 160 А. Время задержки включения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и его время задержки составляет 20 нс. Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET — это напряжение, падающее на клеммах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 20 В. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.

Особенности STW40N20

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 230 мДж
непрерывный ток стока (ID) 40 А
напряжение пробоя сток-исток 200 В
время задержки выключения 74 нс
на основе его номинального пикового тока стока 160 А.