Обзор MR25H10MDC

В этом случае тип памяти устройства можно классифицировать как энергонезависимый. Доступен лоток для корпуса. Встроенный корпус 8-TDFN сExposed Pad окружает микросхемы памяти. Оценивается, что размер памяти на чипе составляет 1 Мб 128K x 8. Как и у большинства основных устройств, это устройство использует память в формате RAM. Из-за его широкого диапазона температур от -40°C до 125°C TA, это устройство хорошо подходит для широкого спектра приложений, требующих высокой производительности. При напряжении питания 2.7V~3.6V он способен обрабатывать микросхемы памяти. Рекомендуется монтировать его в типе монтажа Surface Mount. Он установлен на чипе с 8 выводами. Поддерживает до 1 функции для комплексной работы. Требуется подача 3V на эту микросхему памяти для работы. Для эффективной работы память вращается на тактовой частоте в диапазоне 40 МГц. Микросхема памяти поставляется в корпусе с 8 выводами, что позволяет подключить ее к компьютеру. Устройство памяти имеет всего 8 выводов, что указывает на наличие 8 мест хранения памяти. Отмечается, что рабочее напряжение питания этой памяти составляет 3.3V. Этот чип использует монтаж Surface Mount, простой и высокоэффективный метод монтажа. Его номинальный ток питания составляет 27 мА для компонента памяти. Эта часть, принадлежащая к серии Automotive, AEC-Q100 для устройств памяти, играет важную роль в целевых приложениях. Что касается напряжения, микросхема памяти способна хорошо работать при напряжении 3V.

Особенности MR25H10MDC

Корпус: 8-TDFN сExposed Pad
8 выводов
Рабочее напряжение питания:3.3V

Применения MR25H10MDC

Существует множество применений памяти MR25H10MDC от Everspin Technologies Inc.
Применения памяти MR25H10MDC.

• сетевые технологии
• персональные компьютеры
• серверы
• суперкомпьютеры
• телекоммуникации
• рабочие станции,
• буфер диска DVD
• буфер данных
• энергонезависимая память BIOS
• видеокамеры