NOR флеш

Флэш, 8MX1, PDSO8, 0.208 ДЮЙМА ШИРИНА, РОГС СООТВЕТСТВУЕТ, SOW-8

MT25QL01GBBB8ESF-0SIT — это последовательная NOR-Flash-память объёмом 1 Гбит и напряжением питания 3 В, выпускаемая компанией Micron Technology. Устройство оснащено интерфейсом SPI / Dual SPI / Quad SPI, тактовой частотой 133 МГц, диапазоном рабочего напряжения питания от 2,7 В до 3,6 В, корпусом SOIC/WSOIC с 16 выводами и промышленным температурным диапазоном от −40 °C до +85 °C. Оно подходит для использования в качестве встраиваемой памяти загрузки, хранения прошивок, конфигурации ПЛИС, хранения BIOS/UEFI, промышленных систем управления, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, устройств Интернета вещей (IoT), потребительской электроники и транспортных систем. MT25QL01GBBB8ESF-0SIT обеспечивает надёжную работу последовательной NOR-Flash-памяти Micron в компактных, высокопроизводительных и промышленных встраиваемых решениях хранения данных.

StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 48F4400P0

StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 48F4400P0

StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 28F640P33

Поверхностный монтаж StrataFlash™ 56 выводов Интегральная схема памяти Серия StrataFlash™ 28F640P33 64 Mb kb 18.4mm mm 28mA mA 16b b

Поверхностный монтаж StrataFlash™ Интегральная схема памяти Серия StrataFlash™ 28F256P30 256 Mb kb 31mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V Поверхностный монтаж StrataFlash™ Интегральная схема памяти Серия StrataFlash™ 28F256P30 256 Mb kb 28mA mA 16b b

Поверхностный монтаж StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 28F256P30 256 Mb kb 31mA mA 16b b

3/3.3 В Поверхностный монтаж StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 28F256J3 256 Mb kb

1.81.8/3.3В В StrataFlash™ 56 вывод ИС памяти Серия StrataFlash™ 28F128P30 18.4 мм мм

1.81.8/3.3V V Поверхностный монтаж Axcell™ Интегральная схема памяти Axcell™ Серия 48F4400P0 512 Mb kb 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 48F3000P0

Поверхностный монтаж StrataFlash™ Интегральная схема памяти StrataFlash™ Серия 48F4400P0 512 Mb kb 10mm mm 28mA mA 16b b

Поверхностный монтаж StrataFlash™ Интегральная схема памяти Серия StrataFlash™ 28F640P33 64 Mb kb 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 28F256P30 256 Mb kb 28mA mA 16b b

Микросхема памяти 28F256K3

1.81.8/3.3V V StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 28F128P30 128 Mb kb 28mA mA 16b b

3/3.3V V StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 28F128J3 128 Mb kb

1.81.8/3.3 В В StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 48F4000P0 256 Мбит кбит 28 мА мА 16 бит бит

1.81.8/3.3V V StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 28F640P30 64 Mb kb 28mA mA 16b b

3/3.3 В StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 28F256J3 256 Mb kb

StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 28F128P33 128 Mb kb 28mA mA 16b b

SO-16-W NOR FLASH ROHS

VDFPN-8(MLP8)(6x8) NOR FLASH ROHS

SO-16-W NOR FLASH ROHS

VDFPN-8(MLP8)(6x8) NOR FLASH ROHS

Микросхема памяти N25Q256 256 Mb kb 8mm mm

Поверхностный монтаж Интегральная схема памяти N25Q256A33 256 Mb kb

Микросхема памяти N25Q256A13 256 Mb kb 8mm mm

3/3.3В В 24 выводов Интегральная схема памяти N25Q128A23 128 Мб кб 8 мм мм

Memory IC

CSP-8(3.5x61.5) NOR FLASH ROHS

Память ИС 5.285 мм мм

3/3.3V V Поверхностный монтаж Интегральная схема памяти N25Q00 1 Gb kb 8mm mm 20mA mA

Поверхностный монтаж Интегральная схема памяти 1 Gb kb 8mm mm

5 В В 44 пин Микросхема памяти MT28F800B5 28.195 мм мм

Микросхема памяти MT28F800B3

Микросхема памяти MT28F800B3

Микросхема памяти MT28F800B3

Микросхема памяти MT28F400B3

Память ИС MT28F008B5

Микросхема памяти MT28F008B3

Память ИС MT28F008B3

5 В В 40 пин Микросхема памяти MT28F004B5 18.4 мм мм

Микросхема памяти MT28F004B3

Память ИС MT28F004B3

Память ИС MT28F004B3

3.3 В В 40 контактов ИС памяти MT28F004B3 18.4 мм мм

Микросхема памяти MT28F004B3