Logo
Контакты
Политика использования файлов cookie
Условия использования
Политика конфиденциальности
phone
Vivi (Продажи)
phone
Lucy (Продажи)
phone
Ban (Продажи)
phone
+86 755-2845-3125
Список RFQ
  • open navigation menu
    • Logo
    • Список RFQ
      • Производители
      • Популярные товары
      • RFQ
      • Блог
      • Инструменты
      • Решения для закупок
      • PCB/SMT
      • О нас
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
    Служба поддержки:
    +86 755-2845-3125
    Комната 2709B, Офисное здание 5A, Longguang Jiuzuan, Hongshan, район Longhua, Шэньчжэнь, Китай
    [email protected]
    Компания
    • Блог
    • О нас
    • Контакты
    Ресурсы
    • Категории
    • Производители
    • Инструменты
    • RFQ
    Быстрые ссылки
    • Политика конфиденциальности
    • Условия использования
    • Политика использования файлов cookie
    • Политика возврата и возмещения
    • Политика доставки
    Оплата
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    Логистика
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр

    © 2026 Авторское право. Все права защищены. Сделано ICAllIn

    Номер детали
    Номер детали
    1. Главная/
    2. Все категории/
    3. Дискретные полупроводники/
    4. Транзисторы/
    5. APT9F100S MICROSEMI

    APT9F100S [MICROSEMI]

    APT9F100S
    APT9F100S

    Номер детали:

    APT9F100S

    Категория:

    Транзисторы

    Производитель:

    MICROSEMI

    Описание:

    POWER MOS 8® is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits.

    Статус RoHS:

    FAQ по продукту

    1. Доступен ли APT9F100S для RFQ?

    Да. APT9F100S от MICROSEMI доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

    2. Почему для APT9F100S нет фиксированной цены?

    Цена на APT9F100S может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

    3. Какие ключевые характеристики у APT9F100S?

    APT9F100S — это Транзисторы MICROSEMI с такими характеристиками: Effective Output Capacitance Charge: 85pF и Effective Output Capacitance Energy: 46pF. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

    4. Как быстро я получу предложение по APT9F100S?

    Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

    5. Как скоро можно отправить APT9F100S?

    Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

    6. Можете ли вы предложить альтернативы для APT9F100S?

    Да. Если APT9F100S недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции MICROSEMI в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

    Запрос

    Номер детали:

    APT9F100S

    Производитель:

    MICROSEMI

    Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

    ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

    Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

    Рекомендуемый товар

    Даташит:

    Статус наличия:

    Доступно для RFQ

    Цена:

    Запросить оптовую цену

    Ответ на запрос:

    В течение 24 часов

    Доставка:

    Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

    Спецификация

    Тип
    Параметр
    Power Dissipation
    337W
    Gate Source Voltage
    ±30V
    Continuous Drain Current (100C)
    5A
    Continuous Drain Current (25C)
    9A
    Pulsed Drain Current
    37A
    Gate Threshold Voltage
    2.5V ~ 5V
    Input Capacitance
    2606pF
    Output Capacitance
    219pF
    Total Gate Charge
    80 nC
    Reverse Transfer Capacitance
    35pF
    Operating Temperature
    -55°C ~ 150°C
    Package
    TO-247, D3PAK
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    Avalanche Current
    5A
    Avalanche Energy
    574 mJ
    Breakdown Voltage
    1000V
    Continuous Source Current
    9A
    Diode Forward Voltage
    1.2V
    Effective Output Capacitance Charge
    85pF
    Effective Output Capacitance Energy
    46pF
    Fall Time
    24 ns
    Gate Drain Charge
    36 nC
    Gate Leakage Current
    ±100 nA
    Gate Source Charge
    14 nC
    Mounting Torque
    10 in·lbf (1.1 N·m)
    On Resistance
    1.6Ω
    Package Weight
    0.22 oz (6.2 g)
    Peak Recovery Dv Dt
    25V/ns
    Pulsed Source Current
    37A
    Reverse Recovery Charge 125C
    1.5 µC
    Reverse Recovery Charge 25C
    0.67 µC
    Reverse Recovery Current 125C
    11A
    Reverse Recovery Current 25C
    8A
    Reverse Recovery Time 125C
    345 ns
    Reverse Recovery Time 25C
    200 ns
    Rise Time
    27 ns
    Soldering Temperature
    300°C
    Thermal Resistance Case Sink
    0.15°C/W
    Thermal Resistance Junction Case
    0.37°C/W
    Turn Off Delay Time
    84 ns
    Turn On Delay Time
    25 ns

    Детали продукта

    The APT9F100B and APT9F100S are 1000V, 9A N-Channel FREDFETs with a maximum drain-source on resistance of 1.6Ω and reverse recovery time (trr) ≤200ns. They feature low gate charge, high gain, and a greatly reduced ratio of Crss/Ciss for excellent noise immunity and low switching loss. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling at high frequencies. Optimized for ZVS phase shifted bridge circuits with reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability.

    Ключевые особенности

    • Fast switching with low EMI, Low trr for high reliability, Ultra low Crss for improved noise immunity, Low gate charge, Avalanche energy rated, RoHS compliant

    Сценарии применения

    • ZVS phase shifted and other full bridge
    • Half bridge
    • PFC and other boost converter
    • Buck converter
    • Single and two switch forward
    • Flyback

    Документы

    Datasheets:

    APT9F100B/S
    Доставка и гарантия

    Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

    Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

    Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

    Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

    Особенности

    • 30-дневная гарантия
      30-дневная гарантия
    • Быстрая доставка
      Быстрая доставка
    • Беспроблемный возврат
      Беспроблемный возврат
    • Безопасный способ оплаты
      Безопасный способ оплаты
    Связанная информация
    • Номер детали
      Производитель
      Статус наличия
      Цена
      RoHS/даташит
    • APT50GS60BRG
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 2N5339JANTX
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • APTM100A23SCTG
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5928C G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • JANTX2N6800U
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N4755A G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5245A (DO-35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5232A (DO-35)TR
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5952C G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5247B (DO-35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену

    2N5339JANTX

    2N5339JANTX

    MICROSEMI

    1N5914BPE3/TR8

    1N5914BPE3/TR8

    MICROSEMI

    1N4110 (DO35)

    1N4110 (DO35)

    MICROSEMI

    1.5KE18AE3/TR13

    1.5KE18AE3/TR13

    MICROSEMI

    1N5953B G

    1N5953B G

    MICROSEMI

    APTC80H29T1G

    APTC80H29T1G

    MICROSEMI

    APTM100DA33T1G

    APTM100DA33T1G

    MICROSEMI

    APTMC120HRM40CT3AG

    APTMC120HRM40CT3AG

    MICROSEMI

    1N4755A G

    1N4755A G

    MICROSEMI

    1N5811 (CAT3)

    1N5811 (CAT3)

    MICROSEMI

    Diodes & Rectifiers(136426)Discrete & Power Modules(14567)Thyristors(12548)

    Нет недавно просмотренных товаров

    BEST SELL
    ISL94202IRTZ-T

    ISL94202IRTZ-T

    RENESAS

    BEST SELL
    KHBBC4B03C-MC1K

    KHBBC4B03C-MC1K

    SAMSUNG

    BEST SELL
    PCI1003

    PCI1003

    Microchip

    BEST SELL
    MPU-6000

    MPU-6000

    TDK

    BEST SELL
    K4B2G1646F-BCNB

    K4B2G1646F-BCNB

    SAMSUNG

    BEST SELL
    MT41K512M8DA-107 IT:P

    MT41K512M8DA-107 IT:P

    Micron

    BEST SELL
    CYBT-343026-EVAL

    CYBT-343026-EVAL

    Infineon

    BEST SELL
    K4FBE3D4HM-GHCL

    K4FBE3D4HM-GHCL

    SAMSUNG

    BEST SELL
    H5AN4G6NBJR-UHI

    H5AN4G6NBJR-UHI

    SK HYNIX

    BEST SELL
    K4FBE3D4HM-THCL

    K4FBE3D4HM-THCL

    SAMSUNG