APTM50DAM19G [Microchip]

Обзор APTM50DAM19G

Существует явление, известное как "лавинный пробой", при котором лавинная энергия прикладывается к МОП-транзистору, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 2500 мДж.Входная емкость, CI, определяется как емкость между двумя входными клеммами операционного усилителя с одним входом на земле, и входная емкость этого устройства составляет 22400 пФ @ 25 В.Это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) [163A], который является его максимальным непрерывным током.Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед тем, как ток стока может течь. Время задержки выключения устройства составляет 87 нс.При включении входная емкость устройства заряжается перед началом проводимости тока стока, поэтому его время задержки составляет 18 нс.Напряжение затвор-исток, или VGS, — это напряжение между затвором и истоком транзистора FET, и может быть 30 В.Для поддержания нормальной работы рекомендуется сохранять напряжение пробоя DS выше 500 В.Для работы этого транзистора требуется напряжение 500 В от стока к истоку (Vdss).Его общее потребление мощности можно снизить, используя напряжение привода (10 В).

APTM50DAM19G Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 2500 мДж
непрерывный ток стока (ID) 163A
время задержки выключения составляет 87 нс
напряжение сток-исток 500 В (Vdss)

APTM50DAM19G Применения

Существует множество применений APTM50DAM19G от Microsemi Corporation для одиночных МОП-транзисторов.

• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора