Name: BCY59VIII
Brand: STMicroelectronics
SKU: BCY59VIII

BCY59VIII Обзор

В этом устройстве коэффициент усиления по постоянному току составляет 180 @ 2mA 5V, что является отношением между базовым током и коллекторным током. Single BJT transistor означает, что Ic находится на максимальном значении (насыщение), поэтому насыщение vce (макс.) равно 700mV @ 2.5mA, 100mA. С напряжением эмиттер-база, установленным на 7V, можно достичь эффективной работы. Согласно номинальному току, максимальный ток, который предохранитель может выдерживать без значительного ухудшения, составляет 100mA для этого устройства. Single BJT transistor содержит частоту перехода 100MHz. Single BJT transistor возможно, что коллекторный ток может упасть до 200mA вольт на максимуме Single BJT transistors.

BCY59VIII Характеристики

коэффициент усиления по постоянному току для этого устройства составляет 180 @ 2mA 5V
насыщение vce (макс.) равно 700mV @ 2.5mA, 100mA
напряжение эмиттер-база поддерживается на 7V
номинальный ток этого устройства составляет 100mA
частота перехода 100MHz