Номер детали:
BUX10
Категория:
Транзисторы
Описание:
NPN 200°C TJ 1.5mA 1 элемент 2 вывода кремниевый NPN TO-204AA, TO-3 Трубчатый монтаж на шасси
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Mount
Chassis Mount, Through Hole
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Collector Emitter Voltage (VCEO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Current - Collector Cutoff (Max)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
Collector Emitter Breakdown Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Base Voltage (VCBO)
Emitter Base Voltage (VEBO)
Детали продукта
BUX10 Overview
Как объяснено выше, коэффициент усиления постоянного тока учитывает скорость, с которой ток базы протекает через ток коллектора; поэтому коэффициент усиления постоянного тока для этого устройства составляет 20 @ 10A 2V.Single BJT transistor offers maximum design flexibilSingle BJT transistory wSingle BJT transistorh a collector emSingle BJT transistorter saturation voltage of 700mV.In VCE saturation, Ic is at its maximum value (saturated), and the vce saturation (Max) is 1.2V @ 2A, 20A.The emitter base voltage can be kept at 7V for high efficiency.The current rating of this fuse is 25A, which means that transistor can carry an indefintransistore amount of current wtransistorhout deteriorating too much.The part has a transition frequency of 8MHz.Single BJT transistor is possible to have a collector current as low as 25A volts at Single BJT transistors maximum.
BUX10 Features
the DC current gain for this device is 20 @ 10A 2V
a collector emitter saturation voltage of 700mV
the vce saturation(Max) is 1.2V @ 2A, 20A
the emitter base voltage is kept at 7V
the current rating of this device is 25A
a transition frequency of 8MHz
BUX10 Applications
There are a lot of STMicroelectronics
BUX10 applications of single BJT transistors.
- Inverter
- Interface
- Driver
- Muting
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы