STB11NM80T4 Описание

Уникальная технология MDmeshTM от STMicroelectronics, которая связывает процесс multiple drain с горизонтальной компоновкой PowerMESHTM компании, использовалась для производства этих N-канальных Power MOSFET. STB11NM80T4 имеет очень низкое сопротивление в открытом состоянии, очень высокое dv/dt и хорошие характеристики лавинного пробоя. Эти Power MOSFET имеют общую динамическую производительность, превосходящую аналоги на рынке благодаря эксклюзивному полосному процессу ST.

STB11NM80T4 Особенности

• Низкое входное сопротивление затвора

• Лучшее RDS(on)*Qg в отрасли

• Низкая входная ёмкость и заряд затвора

STB11NM80T4 Применения

• Применения в коммутации