STB155N3H6 [STMicroelectronics]

Name: STB155N3H6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB155N3H6
Availability: InStock

Номер детали:

STB155N3H6

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный Отрезная лента (CT) 3m ? @ 40A, 10V ±20V 3650pF @ 25V 62nC @ 10V 30V TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Статус RoHS:

Статус наличия:

Доступно для RFQ

Цена:

Запросить оптовую цену

Ответ на запрос:

В течение 24 часов

Доставка:

Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Additional Feature

ULTRA-LOW RESISTANCE

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

GULL WING

Base Part Number

STB155N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation-Max

110W Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

70W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

20 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3650pF @ 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

80A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Rise Time

90ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

20 ns

Turn-Off Delay Time

50 ns

Continuous Drain Current (ID)

80A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Avalanche Energy Rating (Eas)

525 mJ

Height

4.6mm

Length

10.75mm

Width

10.4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

Обзор STB155N3H6

Одиночный транзистор MOSFET называется "лавинным пробоем", и лавинная энергия прикладывается к MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет номинальную мощность 525 мДж. При любом входе на земле параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными клеммами операционного усилителя. Это устройство имеет максимальную входную емкость 3650 пФ @ 25 В. Ток стока устройства — это его максимальный непрерывный ток, и это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) 80 А. Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и оно составляет 50 нс. Зарядка входной емкости занимает время перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки включения составляет 20 нс. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение, которое падает на переходе затвор-исток транзистора FET, которое называется напряжением затвор-исток, VGS. 2 В — это пороговое напряжение, при котором электрическое устройство активирует любые свои операции. Для одиночного транзистора MOSFET необходимо иметь напряжение сток-исток (Vdss) 30 В. Использование напряжения привода (10 В) снижает общее энергопотребление этого устройства.

STB155N3H6 Features

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 525 мДж
непрерывный ток стока (ID) 80 А
время задержки выключения составляет 50 нс
пороговое напряжение 2 В
напряжение сток-исток 30 В (Vdss)

STB155N3H6 Applications

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STB155N3H6 от STMicroelectronics.

Освещение
Источник бесперебойного питания
Импульсный источник питания
Синхронный выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Микро-солнечный инвертор
DC/DC преобразователи
Электроинструменты
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Синхронный выпрямление

FAQ по продукту

1. Доступен ли STB155N3H6 для RFQ?

Да. STB155N3H6 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

2. Почему для STB155N3H6 нет фиксированной цены?

Цена на STB155N3H6 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STB155N3H6?

STB155N3H6 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Cut Tape (CT) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STB155N3H6?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STB155N3H6?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

6. Можете ли вы предложить альтернативы для STB155N3H6?

Да. Если STB155N3H6 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

Запрос

Номер детали:

STB155N3H6

Производитель:

STMicroelectronics

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.