Доступен ли STB20NM50T4 для RFQ?

Да. STB20NM50T4 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

Можете ли вы предложить альтернативы для STB20NM50T4?

Да. Если STB20NM50T4 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

STB20NM50T4 - STMicroelectronics | Электронные компоненты

Name: STB20NM50T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB20NM50T4
Availability: InStock

2. Почему для STB20NM50T4 нет фиксированной цены?

Цена на STB20NM50T4 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STB20NM50T4?

STB20NM50T4 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tape & Reel (TR) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STB20NM50T4?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STB20NM50T4?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

STB20NM50T4 Overview

В этом случае MOSFET подвержен лавинному пробою, приложенная энергия называется лавинной энергией, а номинальное значение лавинной энергии (Eas) для MOSFET составляет 650 мДж. Параметр входной емкости операционного усилителя, CI, определяется как емкость между входными клеммами при замкнутом на землю одном входе, максимальная входная емкость этого устройства составляет 1480 пФ при 25 В. Это устройство проводит непрерывный ток стока (ID) 20 А, что является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор. Используя VGS=500 В и заданное значение ID, напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 500 В (то есть нет потока заряда от стока к истоку). Когда устройство выключено, время задержки выключения составляет 9 нс, поскольку входная емкость заряжается до начала проводимости тока стока. Импульсный ток стока — это максимальный номинальный пиковый ток стока 80 А. Перед началом проводимости тока стока время задержки включения устройства тратится на заряд его входной емкости. Это время задержки составляет 24 нс. Напряжение на клемме затвор-исток транзистора FET, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 30 В. Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10 В (10V).

STB20NM50T4 Features

номинальное значение лавинной энергии (Eas) составляет 650 мДж
непрерывный ток стока (ID) 20 А
напряжение пробоя сток-исток 500 В
время задержки выключения составляет 9 нс
на основе его номинального пикового тока стока 80 А.