Номер детали:
STB20NM50T4
Категория:
Транзисторы
Описание:
MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный лента и кассета (TR) 250m ? при 10A, 10V ±30V 1480pF при 25V 56nC при 10V TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Peak Reflow Temperature (Cel)
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
Continuous Drain Current (ID)
Gate to Source Voltage (Vgs)
Drain to Source Breakdown Voltage
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
Avalanche Energy Rating (Eas)
Детали продукта
STB20NM50T4 Overview
В этом случае MOSFET подвержен лавинному пробою, приложенная энергия называется лавинной энергией, а номинальное значение лавинной энергии (Eas) для MOSFET составляет 650 мДж. Параметр входной емкости операционного усилителя, CI, определяется как емкость между входными клеммами при замкнутом на землю одном входе, максимальная входная емкость этого устройства составляет 1480 пФ при 25 В. Это устройство проводит непрерывный ток стока (ID) 20 А, что является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор. Используя VGS=500 В и заданное значение ID, напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 500 В (то есть нет потока заряда от стока к истоку). Когда устройство выключено, время задержки выключения составляет 9 нс, поскольку входная емкость заряжается до начала проводимости тока стока. Импульсный ток стока — это максимальный номинальный пиковый ток стока 80 А. Перед началом проводимости тока стока время задержки включения устройства тратится на заряд его входной емкости. Это время задержки составляет 24 нс. Напряжение на клемме затвор-исток транзистора FET, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 30 В. Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10 В (10V).
STB20NM50T4 Features
номинальное значение лавинной энергии (Eas) составляет 650 мДж
непрерывный ток стока (ID) 20 А
напряжение пробоя сток-исток 500 В
время задержки выключения составляет 9 нс
на основе его номинального пикового тока стока 80 А.
STB20NM50T4 Applications
Есть много применений STMicroelectronics STB20NM50T4 одиночных транзисторов MOSFET.
- Двигатели и источники бесперебойного питания
- Микро-солнечный инвертор
- DC/DC преобразователи
- Электроинструменты
- Двигатели и источники бесперебойного питания
- Синхронный выпрямление
- Схема защиты аккумулятора
- Телекоммуникационные источники питания 1 сервера
- Промышленные источники питания
- Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы
