Обзор STD100NH02LT4

В этом случае МДП-транзистор подвержен лавинному пробою, приложенная энергия называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) для МДП-транзистора составляет 800 мДж. Как параметр входной емкости операционного усилителя, CI, определяется как емкость между входными клеммами при замыкании одного входа на землю, максимальная входная емкость этого устройства составляет 3940 пФ при 15 В. Это устройство проводит непрерывный стоковый ток (ID) 60 А, что является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор. Используя VGS=24 В и заданное значение ID, пробоевое напряжение сток-исток составляет VDS, при котором течет заданное значение ID. Это устройство имеет пробоевое напряжение сток-исток 24 В (то есть, нет потока заряда от стока к истоку). Когда устройство выключается, возникает время задержки выключения 60 нс, так как входная емкость заряжается до начала проводимости стокового тока. Импульсный стоковый ток составляет максимальный номинальный пиковый стоковый ток 240 А. Напряжение на клемме затвор-исток транзистора FET, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 20 В. Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 5 В 10 В (5V 10V).

Особенности STD100NH02LT4

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 800 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 60 А
пробоевое напряжение сток-исток 24 В
время задержки выключения составляет 60 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 240 А.

Применения STD100NH02LT4

Существует множество применений STMicroelectronics STD100NH02LT4 одиночных МДП-транзисторов.

• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямка
• Схема защиты аккумулятора
• Системы питания телекоммуникационных серверов
• Промышленные системы питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение