STD26NF10 [STMicroelectronics]

STD26NF10 Обзор

Одиночный транзистор MOSFET называется "лавинный пробой", и лавинная энергия прикладывается к MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет рейтинг 480 мДж. При заземлении любого входа параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными выводами операционного усилителя. Это устройство имеет максимальную входную емкость 1550 пФ @ 25 В. Ток стока устройства — это его максимальный непрерывный ток, и это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) 25 А. С напряжением пробоя сток-исток 100 В и скоростью тока сток-исток 1, это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 100 В. Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и оно составляет 60 нс. Зарядка входной емкости занимает время перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки включения составляет 17 нс. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение, которое падает на выводах затвор-исток транзистора FET, называемое напряжением затвор-исток, VGS. Использование напряжения привода (10 В) снижает общее энергопотребление этого устройства.

STD26NF10 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 480 мДж
непрерывный ток стока (ID) 25 А
напряжение пробоя сток-исток 100 В
время задержки выключения составляет 60 нс

STD26NF10 Применения

Существует множество применений STMicroelectronics
STD26NF10 одиночных транзисторов MOSFET.

• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер И Телеком PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление