STD70NS04ZL [STMicroelectronics]

STD70NS04ZL Обзор

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и номинальная лавинная энергия составляет 650 мДж. Максимальная входная емкость устройства составляет 1800 пФ при 25 В, но его параметр входной емкости, CI, измеряется как емкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом. Его непрерывный стоковый ток для этого устройства составляет 70 А. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Single MOSFETs transistor is the voltage at which VDS flows at a specified ID value, wSingle MOSFETs transistorh VGS=33V, and this device has a drain-to-source breakdown voltage of 33V voltage. Его максимальный импульсный стоковый ток составляет 280 А, что также является его максимальным номинальным пиковым стоковым током. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET - это напряжение между его клеммами затвора и истока, которое составляет 20 В. Это устройство не использует напряжение привода (5 В 10 В) для снижения общего энергопотребления.

STD70NS04ZL Особенности

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 650 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 70 А
напряжение пробоя сток-исток 33 В
на основе его номинального пикового стокового тока 280 А.

STD70NS04ZL Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STD70NS04ZL.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямка
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные серверные блоки питания
• Промышленные блоки питания
• Ступени PFC, ступени PWM с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени PWM, например, для Silverbox ПК, адаптеров, ЖК и PDP телевизоров,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
• Преобразователи DC-DC