STD95N4LF3 [STMicroelectronics]

Обзор STD95N4LF3

Лавинный пробой происходит при приложении энергии к MOSFET, и оценки лавинной энергии (Eas) составляют 400 мДж.Устройства максимальная входная емкость составляет 2500 пФ при 25 В, которая определяется как емкость между его входными клеммами с заземленным любым входом.Непрерывный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 80 А, что представляет максимальный непрерывный ток, который он может проводить.В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 40 В, и напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID.Время задержки выключения составляет 45 нс, которое является временем зарядки входной емкости устройства до начала проводимости стокового тока.Зарядка входной емкости занимает время до начала проводимости стокового тока, поэтому время задержки включения составляет 7.5 нс.Напряжение затвор-исток, или VGS, это напряжение на переходе затвор-исток транзистора FET и может составлять 16 В.Это устройство снижает общее потребление мощности за счет использования напряжения привода (5 В 10 В).

Особенности STD95N4LF3

оценка лавинной энергии (Eas) составляет 400 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 80 А
напряжение пробоя сток-исток 40 В напряжение
время задержки выключения составляет 45 нс

Применения STD95N4LF3

Существует множество применений STMicroelectronics
STD95N4LF3 одиночных транзисторов MOSFET.

• Потребительские приборы
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер I Телеком PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания Supples