Name: STK820
Brand: STMicroelectronics
SKU: STK820

Обзор STK820

В результате лавинного пробоя, энергия, прикладываемая к MOSFET, называется энергией лавины, и рейтинг энергии лавины составляет 600 мДж. Максимальная входная емкость устройства составляет 1425пФ @ 25В, но параметр входной емкости, CI, измеряется как емкость между входными выводами устройства с заземленным любым входом. Постоянный стоковый ток для этого устройства составляет 21А. Стоковый ток относится к способности устройства проводить постоянный ток. Single MOSFETs transistor это напряжение, при котором VDS протекает при заданном значении ID, wSingle MOSFETs transistorh VGS=25V, и это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 25V. Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 17 нс. Максимальный импульсный стоковый ток составляет 84А, что также является его пиковым током стока максимального рейтинга. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между выводами затвора и истока, которое составляет 16В. Это устройство не использует напряжение привода (4.5В 10В) для снижения общего энергопотребления.

STK820 Features

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 600 мДж
постоянный стоковый ток (ID) 21А
напряжение пробоя сток-исток 25V
время задержки выключения составляет 17 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 84А.