STW8NB100 [STMicroelectronics]

Name: STW8NB100
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW8NB100

Номер детали:

STW8NB100

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

МДП-транзистор (Металл-Оксид) N-канальный Tube 1.45 ? @ 3.6A, 10V ±30V 2900pF @ 25V 95nC @ 10V 1000V TO-247-3

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Voltage - Rated DC

1kV

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Current Rating

7.3A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STW8N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSFM-T3

Qualification Status

Not Qualified

Number of Elements

Power Dissipation-Max

190W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

190W

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

7.3A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Rise Time

13ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

32 ns

Continuous Drain Current (ID)

7.3A

JEDEC-95 Code

TO-247AC

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

1kV

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

29.2A

Avalanche Energy Rating (Eas)

700 mJ

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Contains Lead

Детали продукта

Описание STW8NB100

STMicroelectronics разработала сложную серию силовых MOSFET с исключительными характеристиками, используя новейшую технологию MESH OVERLAYTM высокого напряжения. Комбинация новой, запатентованной полосовой компоновки и собственной структуры краевого завершения, используемой компанией, приводит к самому низкому RDS(on) на единицу площади, выдающимся возможностям лавинного пробоя и dv/dt, а также несравненным заряду затвора и переключающим характеристикам.

Особенности STW8NB100

ТИПИЧНЫЙ RDS(on) = 1.3?
100% ПРОВЕРЕНО НА ЛАВИННЫЙ ПРОБОЙ
ЗАРЯД ЗАТВОРА МИНИМИЗИРОВАН
ЧРЕЗВЫЧАЙНО ВЫСОКАЯ СПОСОБНОСТЬ dv/dt
ОЧЕНЬ НИЗКИЕ СОБСТВЕННЫЕ ЕМКОСТИ
?à30V НАПРЯЖЕНИЕ ЗАТВОР-ИСТОЧНИК

Применение STW8NB100

ИМПУЛЬСНЫЕ БЛОКИ ПИТАНИЯ (SMPS)
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ DC-AC ДЛЯ СВАРОЧНОГО ОБОРУДОВАНИЯ, ИСТОЧНИКОВ БЕСПЕРЕБОЙНОГО ПИТАНИЯ И ПРИВОДА ДВИГАТЕЛЯ

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STW8NB100

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.