ИС памяти

(88,430)

Микросхемы памяти имеются в наличии и отгружаются в тот же день из Mouser Electronics от ведущих производителей отрасли. Mouser является авторизованным дистрибьютором многих производителей микросхем и устройств хранения, включая Alliance Memory, Infineon, ISSI, Micron, Renesas, Sandisk, Winbond и другие. Ознакомьтесь с нашим широким ассортиментом интегральных схем памяти и продуктов для хранения данных, включая твердотельные накопители, карты памяти, модули памяти и многое другое ниже.

Товар	Производитель	Статус наличия	Цена	Запрос	Описание
NEW K4A8G165WC-BCTD	SAMSUNG		Проверить цену	Запросить цену	K4A8G165WC-BCTD из SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC в наличии на AIchiplink，SDRAM DDR4 1.333GHz FBGA-96 DDR SDRAM ROHS
NEW K4A8G085WC-BCTD FBGA	SAMSUNG	Yes	Проверить цену	Запросить цену	Samsung K4A8G085WC-BCTD — это чип памяти DDR4 SDRAM объёмом 8 Гбит, с организацией 1 Г × 8 бит, низковольтным питанием 1,2 В, поддержкой скорости передачи данных DDR4-3200 и компактным корпусом FBGA с 78 шариковыми выводами. Предназначен для встраиваемых вычислений, сетевого оборудования, промышленной автоматизации, устройств периферийного ИИ и высокопроизводительных электронных систем, этот чип памяти Samsung DDR4 обеспечивает высокую пропускную способность, эффективное энергопотребление и надёжную работу в передовых приложениях памяти.
NEW H5AN8G8NDJR-XNC 78-ball FBGA	SK HYNIX	Yes	Проверить цену	Запросить цену	SK hynix H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb DDR4 SDRAM x8 3200 Мбит/с FBGA-78 микросхема памяти SK hynix H5AN8G8NDJR-XNC — это компонент памяти DDR4 SDRAM ёмкостью 8 Гбит с организацией x8, скоростью передачи данных DDR4-3200, низким энергопотреблением 1,2 В и компактным корпусом FBGA-78. Предназначенная для промышленных вычислений, сетевого оборудования, встраиваемых систем и приложений ИИ на периферии, эта память DDR4 обеспечивает высокоскоростной доступ к данным, надёжную работу и эффективное энергопотребление для современных электронных платформ.
NEW MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C TFBGA-441	Micron	Available	Проверить цену	Запросить цену	MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C is a 128Gb LPDDR5 SDRAM memory device manufactured by Micron Technology. Featuring a 2G × 64 organization, x64 data bus, 441-ball TFBGA package, and high-speed LPDDR5 mobile DRAM architecture, it is designed for smartphones, tablets, automotive electronics, AI edge devices, embedded computing platforms, smart cameras, and multimedia systems. The MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C delivers high memory density, low power consumption, compact integration, and reliable Micron LPDDR5 performance for advanced electronic designs.
NEW KLM8G1GEUF-B04Q057	SAMSUNG	Yes	Проверить цену	Запросить цену	KLM8G1GEUF-B04Q057 — это встроенное устройство флэш-памяти eMMC 5.1 объёмом 8 ГБ от компании Samsung, относящееся к семейству KLM8G1GEUF-B04Q. Оно объединяет память NAND Flash и контроллер eMMC в компактном корпусе BGA, поддерживает высокоскоростной режим работы HS400, интерфейс с двойным напряжением (1,8 В / 3,3 В) и широкий рабочий температурный диапазон от −40 °C до +105 °C. Устройство подходит для встроенных систем Linux, мобильных устройств, промышленных терминалов управления, автомобильных информационно-развлекательных систем, шлюзов Интернета вещей (IoT), умных дисплеев, потребительской электроники, телекоммуникационного оборудования и платформ на основе SoC, где требуется надёжная, припаянная к плате энергонезависимая память. Флэш-память относится к более широкой категории компонентов памяти. Компоненты памяти играют ключевую роль в электронике и необходимы для обработки данных в компьютерах. Они могут быть как энергозависимыми, так и энергонезависимыми — в зависимости от требуемой функции. Подробнее о компонентах памяти см. на нашей странице категории «Память».
NEW K4F6E3S4HM-MGCJ FBGA-200	SAMSUNG	Yes	Проверить цену	Запросить цену	LPDDR4 16 Гбит x32 3733 Mbps 1.1 В.Память IC 16 Гбит Параллельный 1866 MHz
NEW K4FBE3D4HB-KHCL02V FPGA	SAMSUNG	Yes	Проверить цену	Запросить цену	K4FBE3D4HB-KHCL02V — это мобильный DRAM-чип LPDDR4 компании Samsung объёмом 32 Гбит, организованный как 1 Г × 32 и поставляемый в компактном корпусе FBGA с 200 шариками. Поддерживая максимальную скорость передачи данных до 4266 Мбит/с и работу в энергосберегающем режиме LPDDR4, данный чип подходит для мобильных устройств, встраиваемых вычислительных платформ, автомобильных информационно-развлекательных систем, промышленных граничных систем, устройств искусственного интеллекта и интернета вещей (AIoT), сетевого оборудования, систем обработки видео, а также высокопроизводительных решений на основе SoC, требующих внешней памяти с высокой пропускной способностью.
NEW MT60B4G8AT-64B:B VFBGA	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	MT60B4G8AT-64B:B — это микросхема памяти Micron DDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит, организованная как 4 Г × 8 и поставляемая в корпусе VFBGA на 78/117 шариков. Предназначена для высокопроизводительных систем памяти DDR5-6400 и подходит для серверов, центров обработки данных, платформ искусственного интеллекта, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных вычислительных систем, систем хранения данных, встраиваемых высокопроизводительных плат и других применений, требующих внешней системной памяти высокой плотности и высокой скорости.
HOT MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D VFBGA-200	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D — это 32-гигабитное устройство LPDDR4 SDRAM производства Micron Technology. Имея организацию 1G × 32, 32-битную ширину шины данных, максимальную тактовую частоту 2,133 ГГц, производительность класса LPDDR4-4266, компактный 200-шариковый корпус VFBGA и широкий диапазон рабочих температур от -40°C до +105°C, оно подходит для автомобильной электроники, информационно-развлекательных систем, телематики, промышленных HMI, встраиваемых вычислений, сетевого оборудования, модулей граничного ИИ, интеллектуальных дисплеев и высокопроизводительных компактных электронных систем. MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D обеспечивает высокую пропускную способность и низкое энергопотребление памяти Micron LPDDR4 для требовательных встраиваемых и автомобильных системных разработок.
HOT H5TQ4G63CFR-RDC FBGA-96	SK HYNIX	Available	Проверить цену	Запросить цену	H5TQ4G63CFR-RDC — это микросхема памяти SK hynix 4Gb DDR3 SDRAM, предназначенная для встраиваемых систем, промышленных контроллеров, сетевого оборудования, мультимедийных устройств и приложений на базе процессоров. Микросхема имеет организацию 256M × 16 бит, объём памяти 512 МБ, тактовую частоту 800 МГц, скорость передачи данных 1600 Мбит/с, корпус FBGA-96, рабочее напряжение 1,5 В DDR3 и расширенные функции DDR3, включая динамическое ODT, калибровку ZQ, выравнивание записи, автоматический предзаряд и самообновление. SK hynix H5TQ4G63CFR-RDC обеспечивает надёжную высокоплотную память для процессоров ARM, систем на базе ПЛИС, встраиваемых платформ Linux, коммуникационного оборудования и промышленных вычислительных приложений.
HOT GD25LQ64ENIGR USON-8	GD	Available	Проверить цену	Запросить цену	Память ИС
HOT MT41K128M16JT-125:K 96-TFBGA	Micron	Available	Проверить цену	Запросить цену	ИС DRAM 2Гбит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L микросхема памяти 2Гбит параллельный 800 МГц 13.75 нс 96-FBGA (8x14)
HOT NT5CB256M16DP-EK BGA-96	Nanya	Yes	Проверить цену	Запросить цену	DDR ОЗУ, 256MX16, CMOS, PBGA96, VFBGA-96
HOT MT41K256M16TW-107 IT:P 96-TFBGA	Micron	Available	Проверить цену	Запросить цену	ИС DRAM 4 гигабит параллельная 96FBGA.SDRAM - DDR3L Микросхема памяти 4 гигабит параллельная 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)
HOT MT41K256M16TW-107:P 96-TFBGA	Micron	Available	Проверить цену	Запросить цену	MT41K256M16TW-107:P — это 4 Гб чип памяти DDR3L SDRAM, произведенный компанией Micron Technology. Благодаря конфигурации 256 М × 16, скорости DDR3L-1866 / 933 МГц, низкому рабочему напряжению 1,35 В и компактному корпусу FBGA/TFBGA с 96 шариками он подходит для встраиваемых вычислительных платформ, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных систем, контроллеров хранения данных, потребительской электроники и долговечных коммерческих устройств. MT41K256M16TW-107:P обеспечивает надёжную производительность памяти Micron DDR3L в компактных, энергоэффективных и проверенных на практике электронных решениях.
BEST SELL K4B4G1646E-BYK0 96-TFBGA	SAMSUNG	Yes	Проверить цену	Запросить цену	The K4B4G1646E-BYK0 is a Samsung 4Gb DDR3L-1600 SDRAM memory IC featuring 512MB capacity, 256M × 16 organization, an x16 data bus, 800MHz clock frequency, 1600Mb/s per-pin transfer rate, and an 11-11-11 timing bin. It supports both 1.35V DDR3L and 1.5V DDR3 operation, includes eight memory banks, 8n prefetch, on-die termination, ZQ calibration and programmable latency functions, and is supplied in a compact 96-ball FBGA package measuring approximately 7.5 × 13.3mm. The K4B4G1646E-BYK0 is suitable for embedded computing, smart TVs, set-top boxes, networking equipment, communication processors, FPGA memory systems and legacy processor platforms requiring commercial-temperature 4Gb x16 DDR3L memory. Samsung now identifies its DDR3 family as discontinued, so lifecycle and supply-chain verification are recommended before procurement.
HOT MT62F2G32D4DS-020 WT:F 315-ball TFBGA	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	MT62F2G32D4DS-020 WT:F — это микросхема памяти LPDDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит производства Micron Technology. Благодаря архитектуре 2G × 32, высокоскоростному интерфейсу LPDDR5, сверхнизкому энергопотреблению, расширенным функциям управления питанием и компактному корпусу TFBGA с 315 шариками, она подходит для смартфонов, планшетов, автомобильных информационно-развлекательных систем, устройств граничных вычислений с ИИ, промышленных встраиваемых платформ и высокопроизводительных мобильных приложений. MT62F2G32D4DS-020 WT:F обеспечивает производительность LPDDR5 нового поколения от Micron, оптимизированную по пропускной способности, энергоэффективности и системной интеграции.
HOT XCF32PVOG48C4307 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	AMD	Yes	Проверить цену	Запросить цену	XCF32PVOG48C представляет собой 32-Мбит микросхему конфигурационного ПЗУ AMD/Xilinx Platform Flash для энергонезависимого хранения битовых потоков конфигурации ПЛИС. Микросхема поддерживает внутрисхемное программирование, последовательную и параллельную загрузку конфигурации, совместимость с протоколами JTAG / IEEE 1149.1 / IEEE 1532, низковольтное питание от 1,65 В до 2,0 В, рабочую частоту до 50 МГц и поставляется в 48-выводном корпусе TSOP для поверхностного монтажа. Она предназначена для начальной загрузки ПЛИС Xilinx, плат промышленной автоматики, телекоммуникационного оборудования, испытательных систем, встраиваемых платформ и обслуживания устаревших аппаратных решений на базе ПЛИС. XCF32PVOG48C особенно актуальна для поиска замены и ремонта, поскольку крупные дистрибьюторы относят данную позицию к снятым с производства.
HOT MT62F2G32D4DS-026 WT:B 200-WFBGA	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	MT62F2G32D4DS-026 WT:B — это микросхема памяти LPDDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит производства Micron Technology. Выполнена по архитектуре 2G × 32, оснащена сверхширокополосным интерфейсом LPDDR5, работает при низком напряжении 1,05 В, обладает расширенными функциями управления питанием и выпускается в компактном корпусе TFBGA с 315 шарами. Микросхема подходит для автомобильной электроники, мобильных устройств, систем граничных вычислений с ИИ, промышленных встраиваемых платформ и высокопроизводительных приложений на базе SoC. MT62F2G32D4DS-026 WT:B обеспечивает производительность LPDDR5 нового поколения от Micron, оптимизированную для высокой пропускной способности, энергоэффективности и ресурсоёмких вычислительных задач.
HOT AT24C02D-STUM-T SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Microchip	Available	Проверить цену	Запросить цену	AT24C02D-STUM-T — это 2-Кбит последовательная EEPROM с интерфейсом I²C, выпускаемая компанией Microchip Technology. Организация памяти 256 × 8, низковольтное питание от 1,7 В до 3,6 В, поддержка I²C Fast Mode Plus до 1 МГц, максимальное время цикла самосинхронизируемой записи 5 мс, аппаратная защита от записи, более 1 миллиона циклов стирания/записи и срок хранения данных более 100 лет. Микросхема идеально подходит для хранения конфигураций, калибровочных данных, идентификации устройств, заводского программирования, встраиваемых систем, IoT-устройств, промышленных контроллеров, потребительской электроники и коммуникационного оборудования. AT24C02D-STUM-T обеспечивает надежную работу энергонезависимой памяти Microchip в компактном 5-выводном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа.
HOT GD5F4GQ6UEY2GR WSON8 8x6mm	GigaDevice	Yes	Проверить цену	Запросить цену	GD5F4GQ6UE — это SPI NAND-Flash-память объемом 4 Гбит от компании GigaDevice, поддерживающая однобитный (x1), двухбитный (x2) и четырехбитный (x4) SPI-интерфейс ввода-вывода с рабочей частотой до 104 МГц. Устройство работает при напряжении питания от 2,7 В до 3,6 В и выполнено в компактном корпусе WSON8 размером 8 мм × 6 мм, что делает его подходящим для применения в встраиваемых системах, потребительской электронике, промышленной автоматизации, сетевом оборудовании, устройствах Интернета вещей (IoT), автомобильной электронике, а также в задачах высокоплотного энергонезависимого хранения данных.
HOT K4A4G165WF-BIWE FBGA-96	SAMSUNG	Yes	Проверить цену	Запросить цену	K4A4G165WF-BIWE — это 4-гигабитная микросхема памяти DDR4 SDRAM производства Samsung. Она имеет организацию 256 М × 16, 16-разрядную шину данных, работает в стандарте DDR4 с напряжением 1,2 В и выпускается в компактном корпусе FBGA-96 для поверхностного монтажа. Микросхема подходит для встраиваемых вычислительных платформ, промышленных контроллеров, сетевого оборудования, систем связи, интеллектуальных дисплеев, телевизионных приставок, модулей граничных вычислений и высокопроизводительных цифровых систем. K4A4G165WF-BIWE обеспечивает производительность Samsung DDR4 SDRAM в приложениях, требующих компактной, высокоскоростной и низковольтной системной памяти.
HOT MT62F2G64D8EK-023 AIT:C 441-ball TFBGA	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	441-Ball, x32 Automotive LPDDR5X SDRAM (Y52P) Y52P, LPDDR5X, QDP (8GB), 8DP (16GB), 441b, MT62F1G64D4, MT62F2G64D8 MT62F2G64D8EK-023 AIT:C is a Micron 128Gbit / 16GB LPDDR5X mobile DRAM component organized as 2G x 64 and supplied in a compact 441-ball TFBGA package. It supports up to 8533MT/s data rate, 4266MHz clock frequency, 1.05V VDD2H / 0.5V VDDQ operation, 8-die stacked configuration, and an automotive-grade -40°C to +95°C temperature range. It is suitable for automotive infotainment, digital cockpit systems, ADAS platforms, edge AI devices, embedded computing, mobile devices, industrial vision systems, networking equipment, video processing, and high-performance SoC-based designs requiring high-bandwidth low-power memory. File Type: pdf Updated: 2025-09-15
HOT FEMDNN128G-A3V01 FBGA-153(11.5x13)	FORESEE	Yes	Проверить цену	Запросить цену	128GB 2.7V~3.6V eMMC 5.1 235/- MB/s FBGA-153(11.5x13) Memory (ICs) ROHS
HOT NT5CC64M16GP-DI VFBGA	Nanya	Yes	Проверить цену	Запросить цену	NT5CC64M16GP-DI — это микросхема оперативной памяти SDRAM DDR3L объёмом 1 Гбит от компании Nanya Technology, организованная по схеме 64 М × 16. Поддерживает максимальную скорость передачи данных до 1600 Мбит/с, работает от источника питания DDR3L напряжением 1,35 В и выпускается в компактном корпусе BGA/VFBGA с 96 шариковыми выводами. При тактовой частоте 800 МГц, 16-битной шине данных, архитектуре с 8 банками и рабочем температурном диапазоне для коммерческого применения от 0 °C до +95 °C данная микросхема подходит для использования в встраиваемых системах, сетевом оборудовании, промышленных платах управления, шлюзах Интернета вещей, потребительской электронике, системах обработки видео и компактных вычислительных платформах, требующих высокоскоростной внешней системной памяти.
HOT NT5AD256M16D4-HR TFBGA	Nanya	Available	Проверить цену	Запросить цену	NT5AD256M16D4-HR — это микросхема оперативной памяти DDR4 SDRAM объёмом 4 Гбит от компании Nanya Technology, организованная по схеме 256 М × 16. Поддерживает максимальную скорость передачи данных до 2666 Мбит/с, работает от источника питания DDR4 напряжением 1,2 В и выпускается в компактном корпусе BGA/TFBGA с 96 шариковыми выводами. Благодаря таким функциям, как автоматический саморежим обновления, встроенный датчик температуры, выравнивание записи, динамическое внутреннее согласование импеданса, калибровка по выводу ZQ и поддержка контрольной суммы CRC, микросхема подходит для использования в встраиваемых системах, сетевом оборудовании, потребительской электронике, промышленных платах управления, шлюзах Интернета вещей, системах видеопроцессинга и других приложениях, требующих высокоскоростной внешней системной памяти.
BEST SELL M25P80-VMW6TG SO-8W	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	Флэш, 8MX1, PDSO8, 0.208 ДЮЙМА ШИРИНА, РОГС СООТВЕТСТВУЕТ, SOW-8
BEST SELL MT25QL01GBBB8ESF-0SIT 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	Micron	Available	Проверить цену	Запросить цену	MT25QL01GBBB8ESF-0SIT — это последовательная NOR-Flash-память объёмом 1 Гбит и напряжением питания 3 В, выпускаемая компанией Micron Technology. Устройство оснащено интерфейсом SPI / Dual SPI / Quad SPI, тактовой частотой 133 МГц, диапазоном рабочего напряжения питания от 2,7 В до 3,6 В, корпусом SOIC/WSOIC с 16 выводами и промышленным температурным диапазоном от −40 °C до +85 °C. Оно подходит для использования в качестве встраиваемой памяти загрузки, хранения прошивок, конфигурации ПЛИС, хранения BIOS/UEFI, промышленных систем управления, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, устройств Интернета вещей (IoT), потребительской электроники и транспортных систем. MT25QL01GBBB8ESF-0SIT обеспечивает надёжную работу последовательной NOR-Flash-памяти Micron в компактных, высокопроизводительных и промышленных встраиваемых решениях хранения данных.
BEST SELL MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	IC FLASH 16Гбит PAR 48TSOP I.FLASH - NAND память ИС 16Гбит параллельный 48-TSOP I
BEST SELL MT29F4G08ABADAWP-IT:D TSOP-I-48	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	IС флэш 4 гигабит параллельный 48TSOP I.FLASH - NAND память ИС 4 гигабит параллельный 48-TSOP I
BEST SELL MT41K128M16JT-125 IT:KTR 96-TFBGA	Unknown	Available	Проверить цену	Запросить цену	* Микросхема памяти * Серия
BEST SELL MT41K512M16VRN-107 IT:P 96-TFBGA	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	ИС ДРАМ 8 Гбит параллельный 96FBGA.СДРАМ - DDR3L ИС памяти 8 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)
BEST SELL MT41K512M16VRP-107 IT:P 96-TFBGA	Micron	Available	Проверить цену	Запросить цену	ИС DRAM 8 гигабит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L память ИС 8 гигабит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)
BEST SELL MT41K512M8DA-107 IT:P 78-TFBGA	Micron	Available	Проверить цену	Запросить цену	Микросхема памяти 10.5mm mm
HOT MT41K512M8DA-107:P 78-TFBGA	Micron	Available	Проверить цену	Запросить цену	ИС DRAM 4 Гбит параллельный 78FBGA.SDRAM - DDR3L ИС памяти 4 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 78-FBGA (8x10.5)
BEST SELL MT48H32M16LFB4-6 IT:C 54-VFBGA	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	MT48H32M16LFB4-6 IT:C is a 512Mb Mobile LPSDR SDRAM memory chip manufactured by Micron Technology. Featuring a 32M × 16 organization, x16 data bus, 166MHz-class clock speed, 5ns access time, compact 54-VFBGA 8mm × 8mm package, and -40°C to +85°C industrial temperature range, it is suitable for embedded computing platforms, industrial control systems, portable devices, networking equipment, medical instruments, and communication modules. The MT48H32M16LFB4-6 IT:C provides reliable low-power Micron mobile SDRAM performance for mature embedded and long-life electronic designs.
BEST SELL MT48LC16M16A2P-6A IT:G TSOP-54	Micron	Available	Проверить цену	Запросить цену	MT48LC16M16A2P-6A IT:G — это микросхема оперативной памяти SDR SDRAM объёмом 256 Мбит, выпускаемая компанией Micron Technology. Микросхема имеет организацию 16 М × 16, 16-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP с 54 выводами и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и приборов. MT48LC16M16A2P-6A IT:G обеспечивает надёжную производительность SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.
BEST SELL MT48LC4M32B2P-6A IT:L TSOP-86	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	MT48LC4M32B2P-6A IT:L — это 128 Мбит SDR SDRAM-микросхема памяти, производимая компанией Micron Technology. Данная микросхема имеет организацию 4 М × 32, 32-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP-86 и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и измерительных приборов. Микросхема MT48LC4M32B2P-6A IT:L обеспечивает надёжную работу SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.
BEST SELL MT53E2G32D4DE-046 AAT:C TFBGA-200	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	Автомобильный, AEC-Q100 Микросхема памяти Автомобильный, AEC-Q100 Серия
BEST SELL MTFC8GAKAJCN-4M IT VFBGA-153	Micron	Yes	Проверить цену	Запросить цену	ИС FLASH 64GBIT MMC 153VFBGA.FLASH - NAND Память ИС 64Gbit MMC 153-VFBGA (11.5x13)
HOT NT5AD512M16C4-JR 96-ball FBGA	Nanya	Yes	Проверить цену	Запросить цену	NT5AD512M16C4-JR is an 8Gb DDR4 SDRAM memory chip manufactured by Nanya Technology. Featuring a 512M × 16 organization, 3200Mbps DDR4-3200 data rate, 1.2V low-power operation, and compact 96-ball BGA package, it is suitable for embedded computing platforms, industrial control systems, networking equipment, consumer electronics, memory modules, and smart devices. The NT5AD512M16C4-JR delivers reliable high-speed Nanya DDR4 memory performance for compact, efficient, and cost-effective electronic designs.
HOT NT5AD256M16E4-JR 96-ball BGA	Nanya	Available	Проверить цену	Запросить цену	NT5AD256M16E4-JR — это 4 Гб чип оперативной памяти DDR4 SDRAM, производимый компанией Nanya Technology. Благодаря организации 256 М × 16, скорости передачи данных DDR4-3200 (3200 Мбит/с), низкому рабочему напряжению 1,2 В и компактному корпусу BGA с 96 шариками он подходит для встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, модулей памяти и интеллектуальных устройств. NT5AD256M16E4-JR обеспечивает надёжную высокоскоростную работу памяти DDR4 от Nanya в компактных, эффективных и экономически выгодных электронных решениях.
BEST SELL KHBB84A03B-MC1J MPGA	SAMSUNG	Available	Проверить цену	Запросить цену	KHBB84A03B-MC1J — это 24 ГБ устройства высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря широкому интерфейсу HBM, передовой многоуровневой архитектуре DRAM и высокоскоростным характеристикам HBM3E оно предназначено для ускорителей ИИ, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения, передовых специализированных интегральных схем вычислений и облачных платформ ускорения. KHBB84A03B-MC1J обеспечивает высокую пропускную способность памяти, компактную интеграцию и надежные технологии HBM компании Samsung для аппаратного обеспечения следующего поколения в области искусственного интеллекта и центров обработки данных.
BEST SELL KHBBC4B03C-MC1K MPGA	SAMSUNG	Available	Проверить цену	Запросить цену	KHBBC4B03C-MC1K — это 36 ГБ устройство высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря скорости передачи данных 9,2 Гбит/с, высокой ёмкости и многоуровневой архитектуре DRAM, а также современному интерфейсу HBM оно предназначено для ускорителей искусственного интеллекта, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения и специализированных интегральных схем (ASIC) для сложных вычислений. Модель KHBBC4B03C-MC1K обеспечивает исключительно высокую пропускную способность, компактную интеграцию и надёжную производительность памяти HBM3E от Samsung для платформ искусственного интеллекта и центров обработки данных следующего поколения.
BEST SELL K4AAG165WA-BCWE 96-ball FBGA	SAMSUNG	Available	Проверить цену	Запросить цену	Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. Samsung DDR4 обеспечивает максимальную скорость с лучшей пропускной способностью и надежностью, используя меньше энергии.
HOT K4B2G1646F-BYMA FBGA-96	SAMSUNG	Yes	Проверить цену	Запросить цену	Чип DRAM DDR3L SDRAM 2 Гбит 128Mx16 1.5 В F-Die 96-контактный FBGA.
HOT K4U6E3S4AA-MGCL FBGA-200	SAMSUNG	Yes	Проверить цену	Запросить цену	K4U6E3S4AA-MGCL is a 16Gb LPDDR4X SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring x32 organization, 4266Mbps data rate, low-power LPDDR4X architecture, and a compact 200-ball FBGA package, it is suitable for smartphones, tablets, embedded computing platforms, AI edge devices, smart home products, IoT gateways, and consumer electronics. The K4U6E3S4AA-MGCL delivers high bandwidth, efficient power consumption, and reliable Samsung mobile DRAM performance for compact modern electronic systems.
BEST SELL K4B2G1646F-BCNB FBGA-96	SAMSUNG	Yes	Проверить цену	Запросить цену	K4B2G1646F-BCNB is a 2Gb DDR3 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 128M × 16 organization, DDR3-2133 performance, 1.5V operating voltage, and a compact 96-ball FBGA package, it is widely used in embedded computing platforms, industrial automation systems, networking equipment, medical devices, and consumer electronics. The K4B2G1646F-BCNB delivers reliable high-speed DDR3 memory performance, low system complexity, and excellent compatibility for a wide range of embedded and industrial applications.
BEST SELL K4F6E3S4HM-THCL 200-pin FBGA	SAMSUNG	Available	Проверить цену	Запросить цену	K4F6E3S4HM-THCL — это 16 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема, произведенная компанией Samsung. Благодаря организации памяти 512 М × 32, производительности до 4266 Мбит/с, энергоэффективной архитектуре LPDDR4 и компактному корпусу FBGA с 200 шариками данная микросхема предназначена для применения в автомобильной электронике, устройствах искусственного интеллекта на периферии, промышленных встраиваемых системах, сетевом оборудовании, интеллектуальных камерах и передовых мобильных платформах. K4F6E3S4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность, низкое энергопотребление и надежную работу в приложениях следующего поколения для встраиваемых и интеллектуальных вычислительных систем.
BEST SELL K4A4G085WF-BCTD 78-ball FBGA	SAMSUNG	Available	Проверить цену	Запросить цену	K4A4G085WF-BCTD — это 4 Гб чип памяти DDR4 SDRAM, производимый компанией Samsung. Благодаря организации 512 М × 8, скорости передачи данных 2666 Мбит/с, низкому рабочему напряжению 1,2 В и компактному корпусу FBGA с 78 шариками он подходит для модулей памяти DDR4, настольных компьютеров, ноутбуков, встраиваемых систем, сетевого оборудования, промышленных устройств управления и потребительской электроники. K4A4G085WF-BCTD обеспечивает надёжную производительность DDR4 от Samsung для компактных и экономически эффективных решений в области проектирования памяти.