STD20N20T4 Overview

Лавинный пробой происходит при приложении энергии к MOSFET, и рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 110 мДж. Максимальная входная емкость устройства составляет 940 пФ @ 25 В, которая определяется как емкость между его входными клеммами с заземленным любым входом. Непрерывный ток стока (ID) этого устройства составляет 18 А, что представляет максимальный непрерывный ток, который он может проводить. В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 200 В, и напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID. Время задержки выключения составляет 40 нс, это время зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока. Зарядка входной емкости занимает время перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки включения составляет 15 нс. Напряжение затвор-исток, или VGS, — это напряжение на переходе затвор-исток транзистора FET и может быть 20 В. Это устройство снижает общее потребление мощности, используя напряжение привода (10 В).

STD20N20T4 Features

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 110 мДж
непрерывный ток стока (ID) 18 А
напряжение пробоя сток-исток 200 В
время задержки выключения 40 нс

STD20N20T4 Applications

Есть много применений STMicroelectronics
STD20N20T4 одиночных транзисторов MOSFET.

• Бытовые приборы
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямитель для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания