STD36NH02L [STMicroelectronics]

Обзор STD36NH02L

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", а энергия, прикладываемая к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 200 мДж. Максимальная входная емкость этого устройства составляет 860 пФ @ 15 В, поскольку входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными клеммами при замкнутом на землю входе. Непрерывный стоковый ток (ID) — это максимальный непрерывный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 30 А. При VGS=24 В и ID, протекающем через VDS при 24VVDS, пробой сток-исток в этом устройстве составляет 24 В. Перед началом проводимости стокового тока задержка выключения устройства должна быть заряжена до полной емкости. Это значение составляет 22 нс. Для этого устройства нет максимального импульсного стокового тока, основанного на его номинальном пиковом стоковом токе 120 А. Single MOSFETs transistor — это напряжение между затвором и истоком транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS. Используя напряжение привода (5 В 10 В), это устройство помогает снизить его энергопотребление.

Характеристики STD36NH02L

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 200 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 30 А
напряжение пробоя сток-исток 24 В
время задержки выключения 22 нс
основано на его номинальном пиковом стоковом токе 120 А.

Применение STD36NH02L

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET от STMicroelectronics
STD36NH02L.

• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные серверные блоки питания
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ, например, для PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP TV,