STD38NH02LT4 [STMicroelectronics]

STD38NH02LT4 Обзор

Лавинный пробой происходит при приложении энергии к MOSFET, и рейтинги лавинной энергии (Eas) составляют 250 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 1070 пФ @ 25 В, которая определяется как емкость между его входными клеммами с заземленным любым входом.Непрерывный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 38 А, что представляет собой максимальный непрерывный ток, который он может проводить.В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 24 В, и напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID.Время задержки выключения составляет 25 нс, которое является временем зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости стокового тока.В отношении импульсного стокового тока он имеет максимум 152 А, что является его максимальным номинальным пиковым стоковым током.Напряжение затвор-исток, или VGS, — это напряжение на переходе затвор-исток транзистора FET, и может составлять 20 В.Это устройство снижает общее потребление мощности за счет использования напряжения привода (5 В 10 В).

STD38NH02LT4 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 250 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 38 А
напряжение пробоя сток-исток 24 В
время задержки выключения 25 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 152 А.

STD38NH02LT4 Применения

Существует множество применений STMicroelectronics
STD38NH02LT4 одиночных транзисторов MOSFET.

• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• AC-DC источник питания
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервера I Телеком PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания Supples