STD60NH03LT4 [STMicroelectronics]

STD60NH03LT4 Обзор

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", и энергия, прикладываемая к MOSFET, называется энергией лавины, а рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 300 мДж. Максимальная входная емкость этого устройства составляет 2200 пФ @ 25 В, поскольку входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными выводами с одним входом, заземленным. Постоянный стоковый ток (ID) — это максимальный постоянный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 60 А. Когда VGS=30 В, и ID течет к VDS при 30VVDS, напряжение пробоя сток-исток составляет 30 В в этом устройстве. Перед началом проводимости стокового тока время задержки выключения устройства должно быть заряжено до полной емкости. Это значение составляет 19 нс. Для этого устройства нет максимального импульсного стокового тока, основанного на его номинальном пиковом стоковом токе 240 А. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение между выводами затвор-исток транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS. Используя напряжение управления (5 В 10 В), это устройство помогает снизить его потребление мощности.

STD60NH03LT4 Характеристики

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 300 мДж
постоянный стоковый ток (ID) 60 А
напряжение пробоя сток-исток 30 В
время задержки выключения 19 нс
основано на его номинальном пиковом стоковом токе 240 А.

STD60NH03LT4 Применения

Существует множество применений STMicroelectronics STD60NH03LT4 одиночных транзисторов MOSFET.

• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные серверные блоки питания
• Промышленные блоки питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптер, LCD и PDP TV,