Name: STD8NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD8NM50N

STD8NM50N [STMicroelectronics]

Номер детали:

STD8NM50N

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Металл-окисел) N-канальный Tape & Reel (TR) 790 мОм ? @ 2.5 А, 10 В ±25 В 364 пФ @ 50 В 14 нКл @ 10 В TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Factory Lead Time

16 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

790mOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Base Part Number

STD8N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation-Max

45W Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

45W

Turn On Delay Time

7 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

364pF @ 50V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

5A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Rise Time

4.4ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

8.8 ns

Turn-Off Delay Time

25 ns

Continuous Drain Current (ID)

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

500V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

20A

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Width

6.2mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

Описание STD8NM50N

Эти N-канальные силовые МОП-транзисторы были созданы с использованием второй технологии MD mesh. Эти новаторские силовые МОП-транзисторы сочетают вертикальную структуру с ленточной компоновкой компании, чтобы обеспечить один из самых низких сопротивления в открытом состоянии и заряда затвора в мире. В результате они идеально подходят для самых требовательных высокопроизводительных преобразователей.

Особенности STD8NM50N

100% проверено на лавинный пробой
Низкая входная емкость и заряд затвора
Низкое входное сопротивление затвора

Применения STD8NM50N

Управление питанием
Потребительская электроника
Портативные устройства
Промышленное применение

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STx8NM50N STD8NM50N-STMicroelectronics-datasheet-10835808.pdf STD8NM50N-STMicroelectronics-datasheet-12529710.pdf

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.