Обзор STF20N20

Максимальная входная ёмкость устройства составляет 940 пФ при 25 В, но параметр входной ёмкости CI измеряется как ёмкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом. Его непрерывный стоковый ток составляет 18 А для этого устройства. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Single MOSFETs transistor is the voltage at which VDS flows at a specified ID value, wSingle MOSFETs transistorh VGS=200V, and this device has a drain-to-source breakdown voltage of 200V voltage. Время выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной ёмкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 40 нс. Его максимальный импульсный стоковый ток составляет 72 А, что также является его максимальным пиковым стоковым током. Перед началом проводимости стокового тока входная ёмкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 15 нс. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 20 В. Это устройство не использует напряжение привода (10 В) для снижения общего энергопотребления.

Особенности STF20N20

непрерывный стоковый ток (ID) 18 А
напряжение пробоя сток-исток 200 В
время выключения 40 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 72 А.

Применение STF20N20

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET от STMicroelectronics STF20N20.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронные выпрямители
• Схемы защиты аккумуляторов
• Источники питания для телекоммуникационных серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансные ступени
• Ступени ШИМ, например, для Silverbox ПК, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
• DC-DC преобразователи