STI30NM60N Обзор

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", а энергия, прикладываемая к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 900 мДж.Максимальная входная емкость этого устройства составляет 2700 пФ @ 50 В, поскольку входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными выводами с одним входом на земле.Непрерывный стоковый ток (ID) — это максимальный непрерывный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 25 А.Для этого устройства нет максимального импульсного стокового тока, основанного на его номинальном пиковом стоковом токе 100 А.Для поддержания нормальной работы рекомендуется, чтобы напряжение пробоя DS оставалось выше 600 В.Напряжение сток-исток (Vdss) этого транзистора должно быть 600 В для работы.Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить его энергопотребление.

STI30NM60N Характеристики

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 900 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 25 А
основан на его номинальном пиковом стоковом токе 100 А.
напряжение сток-исток 600 В (Vdss)

STI30NM60N Применения

Существует множество STMicroelectronics
STI30NM60N применений одиночных транзисторов MOSFET.

• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная ректификация
• Схема защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникационных серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени PWM с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени PWM для, например, PC Silverbox, адаптера, LCD и PDP TV,